Ⅰ. ග්රැෆයිට් susceptor යනු කුමක්ද?

ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටරයක් ​​යනු අධි උෂ්ණත්ව කාර්මික ක්‍රියාවලීන්හි භාවිතා වන ප්‍රධාන සංරචකයක් වන අතර එය විද්‍යුත් චුම්භක ශක්තිය (උදා: රේඩියෝ සංඛ්‍යාතය හෝ ක්ෂුද්‍ර තරංග විකිරණ) අවශෝෂණය කර තාපය බවට පරිවර්තනය කිරීම සඳහා නිර්මාණය කර ඇත. එය තාපන මූලද්‍රව්‍යයක් හෝ තාප සන්නායකයක් ලෙස ක්‍රියා කරයි, සැකසූ ද්‍රව්‍ය සඳහා පාලිත, ඒකාකාර උෂ්ණත්ව පරිසරයක් නිර්මාණය කරයි.

මූලික ලක්ෂණ:

ද්‍රව්‍ය: වර්තන ද්‍රව්‍ය (උදා: SiC, TaC) ආලේප කරන ලද ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් මිනිරන් හෝ මිනිරන් වලින් සාදා ඇත.

ක්‍රියාකාරිත්වය: තාප කම්පනයට සහ රසායනික විඛාදනයට ප්‍රතිරෝධය දක්වමින් ශක්තිය තාපය බවට ඵලදායී ලෙස පරිවර්තනය කරයි.

නිර්මාණය: නිශ්චිත උපකරණ අවශ්‍යතා සපුරාලීම සඳහා සාමාන්‍යයෙන් තහඩු, තැටි හෝ අභිරුචි ජ්‍යාමිතීන් ලෙස හැඩගස්වා ඇත.

Ⅱ. ග්‍රැෆයිට් ප්‍රතිග්‍රාහක භාවිතා කරන්නේ කුමක් සඳහාද?

දියුණු අර්ධ සන්නායක සහ ද්‍රව්‍ය නිෂ්පාදනයේදී සෙමික්ස්ලැබ් ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර් අත්‍යවශ්‍ය වේ. ඒවායේ ප්‍රධාන යෙදුම් මෙන්න:

1. එපිටැක්සියල් වර්ධනය (EPI)

සිලිකන් එපිටැක්සි:

ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර ප්‍රධාන වශයෙන් රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීමේ (CVD) ප්‍රතික්‍රියාකාරකවල සිලිකන් වේෆර් මත තනි-ස්ඵටිකරූපී සිලිකන් ස්ථර වර්ධනය කිරීම සඳහා භාවිතා කරයි. සසෙප්ටරය ඒකාකාර උණුසුම සහතික කරයි, ස්ථර ඝණකම සහ මාත්‍රණය නිවැරදිව පාලනය කිරීමට හැකියාව ලබා දෙයි.

ගැලියම් නයිට්‍රයිඩ් (GaN) එපිටැක්සි:

GaN-පාදක උපාංග (උදා: LED, බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ) නිෂ්පාදනය සඳහා ඉතා වැදගත් වේ. MOCVD (ලෝහ කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පතු) පද්ධතිවල GaN වර්ධනය සඳහා අවශ්‍ය ඉහළ උෂ්ණත්වයන් (> 1,000°C) ග්‍රැෆයිට් ප්‍රතිග්‍රාහකවලට ඔරොත්තු දිය හැකිය.

2. MOCVD (ලෝහ කාබනික CVD)

GaN, GaAs හෝ InP උපාංග නිෂ්පාදනයේදී, ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර ලෝහ කාබනික පූර්වගාමීන් දිරාපත් කිරීම සහ උපස්ථර මත තුනී පටල තැන්පත් කිරීම සඳහා ස්ථායී උණුසුම සපයයි.

3. වේගවත් තාප සැකසුම් (RTP)

ඇනීලිං, ඔක්සිකරණය හෝ මාත්‍රණ සක්‍රිය කිරීමේ පියවර සඳහා භාවිතා වේ. සස්සෙප්ටරයේ වේගවත් තාපන/සිසිලන හැකියාවන් තාප අයවැය අවම කරයි, එය උසස් CMOS සහ මතක උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා ඉතා වැදගත් වේ.

4. වෙනත් යෙදුම්

SiC ස්ඵටික වර්ධනය: SiC ඉන්ගෝට් වර්ධනය සඳහා සබ්ලිමේෂන් ඌෂ්මකවල ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර භාවිතා වේ.

දියමන්ති සංස්ලේෂණය: CVD දියමන්ති නිෂ්පාදනය සඳහා අවශ්‍ය ඉහළ උෂ්ණත්ව පරිසරය සපයයි.

III. ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර් වර්ග අතර කාර්ය සාධන වෙනස්කම්

ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර්, නිශ්චිත පරිසරයන් තුළ ඒවායේ ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කරන ආලේපන සමඟ වෙනස් කර ඇත. මෙන්න සංසන්දනයක්:

යෙදුම් අවස්ථා

අධි-පිරිසිදු මිනිරන්:

නිෂ්ක්‍රීය වායුවල භාවිතය සඳහා (උදා: Si එපිටැක්සි, දියමන්ති සංස්ලේෂණය).

විඛාදන වායු නොමැති ක්‍රියාවලීන් සඳහා අඩු වියදම් විකල්පය.

SiC-ආලේපිත මිනිරන්:

GaAs හෝ LED නිෂ්පාදනය සඳහා MOCVD සඳහා (ප්ලාස්මා කැටයම් සහ HCl අතුරු නිෂ්පාදන වලට ප්‍රතිරෝධී).

ඔක්සිජන් අඩංගු පරිසරවල RTP.

TaC-ආලේපිත මිනිරන්:

GaN MOCVD: Cl₂-පාදක පූර්වගාමීන්ට සහ ඉහළ උෂ්ණත්වයන්ට ප්‍රතිරෝධී වේ.

SiC එපිටැක්සි: සබ්ලිමේෂන් වර්ධනයේදී Si වාෂ්ප විඛාදනයට ප්‍රතිරෝධී වේ.

Ⅳ. මතුපිට ආලේපනය වැදගත් වන්නේ ඇයි?

SiC ආලේපනය: ඔක්සිකරණයට සහ රසායනික ප්‍රහාරයන්ට එරෙහිව ආරක්ෂිත බාධකයක් එක් කරයි, ප්‍රතික්‍රියාශීලී වායු පරිසරවල ප්‍රතිග්‍රාහකයේ ආයු කාලය දීර්ඝ කරයි.

TaC ආලේපනය: හැලජන් බහුල පරිසරවල (GaN සහ SiC ක්‍රියාවලීන් සඳහා පොදු) විශිෂ්ට ස්ථායිතාවයක් ලබා දෙන අතර, ග්‍රැෆයිට් විඛාදනය හා දූෂණය වළක්වයි.